13881912386/18782065210
|成功案例 |联系我们
您现在的位置:成都阿特万超声波设备有限公司 > 产品展示 > 其他 >

太阳能硅片行业清洗机

作者: admin发布时间:2018-11-27 14:39

 


等离子清洗涉及刻蚀工艺领域,并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残
  留颗粒的清洗。
  背景技术
  在刻蚀过程中,颗粒的来源很多:刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性,刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒;反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒;反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接,导致器件损坏。因此,在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。
  目前,常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种:一种是标准清洗( RCA)清洗技术,另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。其清洗工序为:一号液( SC-1)(NH40H+H202)—,稀释的HF(DHF)(HF+H20)—,二号液( SC-2)(HCl+ H202)。其中,SC.1主要是去除颗粒沾污(粒子),也能去除部分金属杂质。去除颗粒的原理为:硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜(约6nm,呈亲水性),该氧化膜又被NH40H腐蚀,腐蚀后立即发生氧他,氧化和腐蚀反复进行,附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。自然氧化膜约0.6nm厚,与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液,它具有极强的氧化性和络合性,能与未被氧化的金属作用生成盐,并随去离子水冲洗而被去除,被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。RCA清洗技术存在以下缺陷:需要人工操作,劳动量大,操作环境危险;工艺复杂,清洗时间长,生产效率低;清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕,影响器件性能;清洗剂和超净水消耗量大,生产成本高;去除
  粒子效果较好,但去除金属杂质Al、Fe效果欠佳。
  用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上,清洗过程中硅片不断旋转,清洗液喷淋在硅片表面。可以进行不同转速和喷淋时间的设置,连续完成多步清洗步骤。典型工艺为:兆声_氨水+双氧水(可以进行加温)_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。
  用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为:只能进行单片清洗,单片清洗时间长,导致生产效率较低;清洗剂和超净水消耗量大,生产成本高。

最新资讯:
成都阿特万超声波设备有限公司版权所有 技术支持:杭州创程  网站地图